ENКоличката е празна.
ПОЛЕВИПродукти
|
2 БРОЯ BFS21 ЗАВОДСКИ ПОДБРАН ЧИФТ NFET N-Ch PHILIPS2 БРОЯ BFS21 ЗАВОДСКИ ПОДБРАН ЧИФТ NFET N-Ch PHILIPS Подбран чифт от симетрични n-канални полеви транзистори, монтирани заедно в метален S-клипс. Характеристики на отделен транзистор: UDS max =±30V ID max = 20 mA |
Цена:
14.40лв.
|
|
BUZ36BUZ36 SIPMOS POWER TRANSISTOR Avalanche-rated Enhancement mode N-channel |
Цена:
6.00лв.
|
|
BUZ48A SiemensBUZ48A SIPMOS, N-channel, TO 238 AA |
Цена:
24.00лв.
|
|
BUZ54BUZ54 SIPMOS POWER TRANSISTOR Avalanche-rated Enhancement mode N-channel |
Цена:
7.20лв.
|
|
FCA47N60F MOSFET транзистор N Channel 417W 47A 600V 73 mΩFCA47N60F MOSFET транзистор N Channel 417W 47A 600V 73 mΩ  |
Цена:
18.00лв.
Няма наличност
Моля направете запитване при необходимост от този продукт
|
|
HGTG20N60A4 IGBT Транзистор 70A 600V 290W N-ChannelHGTG20N60A4 IGBT Транзистор 70A 600V N-Channel
Package/Case: TO-247-3
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 70 A
Pd - Power Dissipation: 290 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Brand: ON Semiconductor / Fairchild
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 250 nA
Height: 20.82 mm
Length: 15.87 mm
|
Цена:
6.00лв.
|
|
IGBT Транзистор FGH40N60SFD 80A 600V 349WIGBT Транзистор FGH40N60SFD 80A 600V 349W
|
Цена:
12.00лв.
|
|
IGBT Транзистор GP50B60PD 75A 600V 370WIGBT Транзистор GP50B60PD 75A 600V 370W
|
Цена:
18.00лв.
|
|
IGBT Транзистор VS-GB90DA120U 90A 1200V SOT227BIGBT Транзистор VS-GB90DA120U 90A 1200V SOT227B
|
Цена:
60.00лв.
|
|
IRF3710 MOSFET транзистор N Channel 200W 57A 100V 23 mΩIRF3710 MOSFET транзистор N Channel 200W 57A 100V 23 mΩ |
Цена:
1.44лв.
Няма наличност
Моля направете запитване при необходимост от този продукт
|
